Zavřít reklamu

Čipová divize Samsungu Samsung Semiconductor odhalila „zvláštní typ paměti DRAM“, o kterém tvrdí, že je ideální pro mobilní umělou inteligenci a herní aplikace. Nazývá se LLW DRAM, což je zkratka pro Low Latency Wide IO.

Samsung původně oznámil, že vyvíjí LLW DRAM, již letos v lednu na akci Tech Day. O novém typu paměti také krátce hovořil v říjnu v rámci konference Memory Tech Day, kde představil řešení HBM3E Shinebolt a LPDDR5X CAMM2.

Nyní korejský gigant svůj LLW čip připomněl prostřednictvím krátkého videa. Z něj vyplývá, že tento čip je součástí čipsetu Samsungu, což dává smysl vzhledem k jeho tvrzením o „nízké latenci“.

Samsung neřekl, v kterém telefonu bude jeho nová paměťová technologie debutovat, nabízí se však, že to bude už řada Galaxy S24. Před pár dny koneckonců potvrdil, že právě ta bude „AI telefonem“, o kterém hovořil začátkem listopadu.

Když už jsme u pamětí a řady Galaxy S24, sluší se zmínit o novém úniku, který říká, že řada bude disponovat prakticky stejnou kapacitou operační paměti. Jedinou změnu bude podle legendárního leakera Ice Universe představovat model S24+, který se prý kromě varianty s 8 GB RAM bude nabízet i ve verzi s 12 GB. Základní model S24 má být stejně jako S24 vybaven 8 GB a model S24 Ultra 8 a 12 GB operační paměti (o nejvyšším modelu některé dřívější úniky uváděly, že bude dostupný i ve verzi s 16 GB RAM). Řada Galaxy S24 bude s největší pravděpodobností představena již v lednu.

Špičkové Samsungy s bonusem až 10 000 Kč koupíte zde

Dnes nejčtenější

.